Прошедшая этим летом в Ярославле конференция показала, что нанотехнологии в России успешно развиваются: научные институты ведут масштабные исследования. Среди них – Ярославский филиал физико-технологического института Российской академии наук (ЯФ ФТИАН).
В настоящее время ярославские ученые принимают активное участие в разработке МОПнанотранзистора со структурой «кремнийнаизоляторе».
– Размеры такого нанотранзистора – 30 нанометров – соответствуют мировому уровню, – говорит заведующий лабораторией наноэлектроники и спинтроники доктор физикоматематических наук Валерий Рудаков. – В отличие от традиционных транзисторов он обладает высокой радиационной стойкостью и повышенной надежностью при высоких температурах. Наша задача сейчас – создать действующий экспериментальный образец. Сделаем – будем лидерами в этом направлении.
Научные сотрудники филиала осваивают и спинтронику – совсем молодую, но весьма многообещающую науку, на которую возложена важная миссия использования квантовых эффектов при создании устройств для компьютерной, теле– и видеотехники, мобильных телефонов. У ярославцев готова к внедрению в производство энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на основе самоформирующихся наноструктур: записанная в ней информация не пропадает при отключении питания. Такая память может быть использована даже для управления боевыми ракетами и для контроля за космическими станциями.
